Infineon Technologies K75T60 - IGBT TrenchStop - 80 A - 600 V - TO-247 - IKW75N60T

SMITIKW75N60T

Fiche technique

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Quantité

TVA NON INCLUSE

TVA INCLUSE

15.00 €

18.15 €

Identification

Code EE SMITIKW75N60T

Marque

Infineon

Modèle K75T60

Code fabricant IKW75N60T

EAN13

Caractéristiques

Il s'agit d'un transistor Infineon IGBT doté de la technologie TrenchStop™

Les tensions nominales collecteur-émetteur pour cette technologie sont de 600 et 650 V. La gamme comprend des dispositifs dotés d'une diode antiparallèle intégrée à grande vitesse et à récupération rapide.

Spécifications

VCE très faible (sat) : 1,5 V (typ.)
Température maximale de jonction : 175°C
Court-circuit avec temps de repos : 5 µs
Coefficient de température positif en VCE(sat)
Faible EMI
Courant continu maximum du collecteur : 80 A
Tension maximale collecteur-émetteur : 600 V
Tension maximale porte-émetteur : ± 20 V
Dissipation de puissance maximale : 428 W
Encapsulation : TO-247

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Infineon Technologies K75T60 - IGBT TrenchStop - 80 A - 600 V - TO-247 - IKW75N60T

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